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大栅的制作方法与成本

我国温室大栅的现状与发展百度文库

早期的原始的大栅骨架以竹木为主，竹木结构以其材料来源容易、成本低廉等优点从一开始就受到广大种植户的青睐‘目前，此类结构的大拥在我国仍然被广泛使用，约占整个大棚在大栅的制作方法与成本,申请号号:本发明提供了一种金属栅电极的制作方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底的表面形成伪栅及其侧壁;在所述伪栅两侧的半导体衬底内离。大栅的制选成本2016年3月30日一种大尺寸衍射光栅的制作方法及曝光装置技术领域 [0001] 本发明属于大尺寸衍射光栅制作领域，尤其是涉及一种采用局部光场拼接工艺制作大尺寸衍射光栅的一种大尺寸衍射光栅的制作方法及曝光装置[发明专利]百度文库2017年12月8日大栅栏有机更新的发展模式大致分为三个阶段：阶段：试点阶段。在大栅栏更新计划启动初期，需要探索创新，需要试点实践，需要引领示范。在系统规划大栅栏更新计划 ——探索并实践历史文化街区城市有机更新的

一种大口径微波毫米波极化线栅研制的新方法 ChinaXiv

2015年8月2日 1 极化线栅的原理与设计极化线栅主体由一系列等间距、垂直或水平排列的金属丝构成（如图1所示）．在理想情况下，当入射波的极化方向与线栅金属丝的方向平目前,国内钻杆生产加工主要依靠人工进行上下料,以 Φ 73 mm×1500 mm钻杆为例,单根钻杆重量约为32 kg,生产节拍大约为1根/min,生产效率低 [2－4],工人体力劳动强度大 [5]。近年《中国煤炭杂志》官方网站知网空间期刊全文，博士论文，硕士论文，会议论文，论文 2022年3月30日高强度大栅间隙粉碎型格栅的制作方法文档序号：发布日期： 10:38 阅读：60 来源：国知局导航： X技术 > 最新专利 > 物理化学装置的高强度大栅间隙粉碎型格栅的制作方法 X技术网

大栅的制作方法与成本

2015年3月25日大栅的制作方法与成本,2010年11月24日其通常做法是按照不同的电流范围分档设计、生产多个芯片产品,或者在同一个芯片上提供不同精度的使用区间。例如,目前大栅的制作方法与成本,本文向大家介绍适合初学者制作的防盗报警器。该防盗报警器电路简单、制作成本低廉、材料易寻、制作容易，它不受使用场所的客观条件和周围环境的限大栅的制作方法与成本本实用新型属于新能源技术领域，尤其涉及太阳能，具体的说是一种无主栅电池片太阳能组件。背景技术全球性的化石能源危机与环境污染推动了光伏行业的快速发展。目前，以晶硅电池片为主的组件占据了全球光伏组件无主栅电池片太阳能组件的制作方法 X技术网2024年5月30日本发明属于半导体器件领域，涉及一种具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法。背景技术： 1、传统硅基功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)在一些应用中，总栅电荷作为主要的动态参数，影响着沟槽器件在开关过程中的损耗，总栅电荷越小，整体一种具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法与流程

光伏组件行业研究：大尺寸＋N型＋高功率为主旋律

2022年8月18日光伏组件的商业模式既具有普通 ToB 制造业的产品与成本属性，又具有ToC 行业的品牌与渠道属性，客户主要包括终端业主、EPC、经销商和安装商，其中业主和EPC采购的组件主要用在地面电站，下游本实用新型涉及离子束技术领域，更具体地说，涉及一种大束径离子源及屏栅。背景技术离子束加工是当代微电子机械系统(MEMS)微纳精密加工的重要工艺之一。离子源是离子束加工系统的核心，主要有电子轰击(ElectronImpact，EI)离子源、霍尔(Hall)离子源和射频(RadioFrequency，RF)离子源三大类。霍尔离子源一种大束径离子源及屏栅的制作方法 X技术网本发明属于绝缘栅场效应管制造技术领域，具体涉及一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。背景技术高压IGBT的制备材料通常选用低掺杂浓度的区熔衬底Si材料(FZ单晶衬底)，常规的方法是先在衬底上用零层版(Zeromask)刻出对位标记，接着的工艺是生长比较薄的氧化层（padoxide），然后进行终端(ring 低成本绝缘栅场效应管 (IGBT)的制备方法与流程2024年4月13日其中，0BB+银包铜方案在电池环节主要通过栅线变多变细及使用银包铜浆料实现，不涉及额外的设备投资，但是在组件环节需更新0BB串焊机，目前也已不存在技术障碍，主要是在试量产过程中逐步实现设备的稳定性，将良率与TOPCon、HJT、BC降本谁最强？不同电池路线产能投资与

太阳能电池片栅线电极的丝网印刷方法与流程

本发明涉及太阳能电池片生产技术领域，尤其是涉及太阳能电池片栅线电极的制备技术领域。背景技术目前，太阳能电池片正面栅线电极的制备主要采用丝网印刷方法，其原理为：利用网版上图形部分网孔透浆料和非图形部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷，见图1。具体地，先将基片固定于工作 2022年11月2日一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空t型栅的制作方法技术领域 1本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空t型栅的制作方法。背景技术： 2随着5g、6g通信等未来通讯技术的大规模需求以及雷达天线等的国防应用。。基于gan、gaas材料的等微波毫米波器件需要一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法 X 2021年1月23日本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种金属栅的制造方法。背景技术随着cmos技术的发展，传统的二氧化硅栅介质和多晶硅栅极(polysion)晶体管已经达到物理极限，比如说由于量子隧穿效应导致的漏电流过大的问题和多晶硅栅极的耗尽问题等严重影响了半导体器件的性能。从nm技术金属栅的制造方法与流程 X技术网本发明涉及微波通讯领域，具体涉及一种制作T型栅结构的电子束光刻方法。背景技术随着无线网络、通信、电视广播以及航空航天系统等的不断发展，微波通讯的应用已经几乎涵盖在所有的人类活动中，越来越成为生活中不可缺少的一部分。微波通讯系统的核心是微波功率放大器，它也是系统一种制作T型栅结构的电子束光刻方法与流程 X技术网

栅氧化层的制造方法与流程 X技术网

2018年11月24日本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种栅氧化层的制造方法。背景技术在集成电路中，MOS晶体管如PMOS管和NMOS管的栅极结构通常都采用栅氧化层(GateOxide)叠加多晶硅栅的结构。栅氧化层位于多晶硅栅和底部的半导体衬底如硅衬底之间，对于MOS晶体管的特性有很重要的影响。现有 2022年3月30日本实用新型涉及粉碎型格栅技术领域，具体为高强度大栅间隙粉碎型格栅。背景技术粉碎型格栅能将污水管网中的木片、空瓶、布片等杂物垃圾进行粉碎，以保护泵站中其他设备使其正常运转，堪称泵站的守护天使，所以针对不同的泵站需要不同间隙的粉碎型格栅；现有技术中申请号为x的专利高强度大栅间隙粉碎型格栅的制作方法 X技术网2022年3月26日 1本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种沟槽栅的制造方法。背景技术： 2mos晶体管中，栅结构包括栅氧化层和形成于栅氧化层表面的多晶硅栅，多晶硅栅通常覆盖沟道区并用于在沟道区表面形成连接源漏的沟道，为了提供栅的高控制性，一般要求较薄的栅氧化层；但是为了高的沟槽栅的制造方法与流程 X技术网一种屏蔽栅mosfet(sgt)的制作方法与流程2 来自百度文库积氧化层：在硅片表面沉积一层二氧化硅（SiO2）作为栅极绝缘层。这一步通常通过热氧化工艺完成，将硅片暴露在高温氧气环境中，硅片表面会自然形成一层氧化层。3一种屏蔽栅mosfet(sgt)的制作方法与流程百度文库

纳米T型栅的制作方法百度学术

摘要：本发明公开了一种纳米T型栅的制作方法,涉及半导体器件及集成电路制作工艺技术领域包括如下步骤:清洗基片并烘干,在基片上涂一次电子束光刻胶,烘干;涂二次电子束光刻胶,并进行电子束直写并显影,制作T型栅的上半部分;设置不同位置尺寸和剂量,对一次电子束光刻胶进行电子束直写;对一次 2021年11月24日 1本发明涉及半导体器件领域，具体地，涉及一种具有局部底栅的晶体管及制备方法。背景技术： 2低维半导体材料，例如碳纳米管、石墨烯、黑磷或二维材料，由于具备厚度较薄、高迁移率、高物理和化学稳定性、高热导率等优异的性能，因此被广泛应用于晶体管中作为沟道材料使用。具有局域底栅的晶体管及其制作方法与流程2024年3月12日它利用磁性材料和线圈之间的相互作用来实现长度的测量，具备分辨率高、稳定性好、抗干扰能力强等特点。下面我们将详细介绍磁栅尺的6大主要特点。一、磁栅尺的高精度与磁栅尺6大特点与优势百家号2019年7月6日本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种金属栅的制造方法。背景技术现有金属栅(MG)的制造方法中，通常需要先形成伪栅极结构，伪栅极结构通常采用非晶硅层或多晶硅层组成，在利用伪栅极结构来形成金属栅前工艺步骤之后，再去除伪栅极结构，之后再在伪栅极结构去除的区域中金属栅的制造方法与流程 X技术网

我国温室大栅的现状与发展百度文库

我国温室大栅的现状与发展 1我国温皇大棚Biblioteka Baidu历史发展与现状 11温室大棚骨架温棚骨架是温室大棚的主体，是整个温棚的承载体，决定了温拥整体质量的优劣。早期的原始的大栅骨架以竹木为主，竹木结构以其材料来源容易、成本低廉等优点从 2018年9月4日本发明所要解决的技术问题是：提供一种大量程、关键管段全覆盖监测、低成本的长距离、大，所述分布式同轴电缆电栅应变传感器的数量设置为三根，且相邻的两根分布式同轴电缆电栅应变传感器与管道轴线所在的两个平面之间的夹角角度一种基于分布式同轴电缆电栅应变传感器的管道监测预警系统 2023年4月23日编者按：大模型的成本问题一直以来是大家重点关注的问题，本文重点讨论了训练大型语言模型（LLMs）需要的成本，并简要介绍什么是LLM以及一些用于优化大模型推理表现的技术。程序员 “烧钱”的大模型：初探成本拆解与推理优化大栅的制作方法与成本,关于"什么是光纤光栅的制作方法"的答案楼层: 1什么是光纤光栅的制作方法：光纤光栅火灾报警系统 1光敏光纤的制备采用适当的光源和光纤增敏技术，可以在几乎所有种类的光纤上不同程度的写人光栅。大栅的制作方法与成本

光纤光栅百度百科

光纤光栅主要的制作方法是利用光纤材料的光敏性，通过紫外光曝光的方法将入射光相干场图样写入纤芯，在纤芯内产生沿纤芯轴向的折射率周期性变化，从而形成永久性空间的相位光栅，其作用实质上是在纤芯内形成一灭弧栅片是熄灭电弧的基本方法之一。灭弧栅片一般采用钢片制作。在交流低压开关电器中，当触头间产生电弧时，电弧在磁力线的收缩力作用下被拉入灭弧栅片。一个长弧被分隔成多段短弧。当交流电流过零时，所有短弧同时熄灭，由于近阴极效应，每段短弧的阴极附近都立即出现150250V的起始灭弧栅片百度百科2015年8月2日 1 极化线栅的原理与设计极化线栅主体由一系列等间距、垂直或水平排列的金属丝构成（如图1所示）．在理想情况下，当入射波的极化方向与线栅金属丝的方向平行时，则入射波被线栅反射；反之，当入射波的极化方向与线栅金属丝的方向垂直时，则入射一种大口径微波毫米波极化线栅研制的新方法 ChinaXiv2015年3月25日大栅的制作方法与成本,2010年11月24日其通常做法是按照不同的电流范围分档设计、生产多个芯片产品,或者在同一个芯片上提供不同精度的使用区间。例如,目前市场上片内精度士3%常见的3 45mA档2017年10月19日从而导致芯片面积和研制成本的增加大栅的制作方法与成本

高性能高可靠性SiC MOSFET的关键设计与优化

2022年2月9日了很大的JFET电阻，导通电阻因此显著增加。图6比较了瑞能平面型SiC MOSFET以及两款市场上主流的平面型和沟槽型SiC MOSFET的主要性能，通过比较可以发现，现阶段的沟槽型SiC MOSFET与高性能的平面型SiC MOSFET 相比，性能优势并不明显 2013年2月6日 1、从成本讲：两栅的能够节约成本，三栅所增加的浆料，提高生产成本。2、从性能上讲：三栅的电池片对细删线电流的采集效果好，并且功率损耗比两栅的低，更加牢固稳定，不过两栅的氮化矽面积大一些。3、从生产角度上讲：三栅的串焊更直，连接强度大，在层压的时候在片与片不容易有移位元光伏电池片两栅与三栅的区别集邦新能源网 EnergyTrend2019年1月28日本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种金属线栅偏振片的制作方法及显示面板。背景技术现有技术中，金属线栅偏振片的制作方法主要采用在金属薄膜上涂敷压印胶并进行压印，最后通过多次刻蚀工艺以刻蚀出纳米级别的线栅结构。但此制作方法刻蚀出的线栅结构形貌均一性较差，易出现线金属线栅偏振片的制作方法及显示面板与流程2021年10月19日一种低压屏蔽栅mosfet器件及其制作方法技术领域 1本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种低压屏蔽栅mosfet器件及其制作方法。背景技术： 2屏蔽栅mosfet器件和传统的沟槽型mosfet相比具有导通电阻低，开关损耗低的优点，因此在中低压功率半导体市场的应用逐渐增加。一种低压屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法与流程 X技术网

基于Griddler 模拟的采用SWCT 的TOPCon 光电转换效率与

2021年9月10日 SWCT 的关键主要在于细栅、焊带与光电转换效率之间的关系，其中细栅涉及到细栅高度和宽度，焊带涉及到焊带数目和焊带直径，这些参数影响到光生电流的产生、传输和损耗，不涉及电池内部的缺陷和复合；Griddler 可通过有限元的方法[7]，将太阳电池划分为许多个节点，在每个节点处采用双二极管 2024年4月20日光伏电池片使用金属电极到处电流，分主栅和细栅，0BB指的是取消电池片上的主栅，从而通过降低银耗等实现降本。缺点：工艺复杂，焊接难度大，精度要求高；成本上增加胶水。 2、点胶优点：工艺 0BB（无主栅）技术现状和降本路线分析降低成本本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种有源层材料、薄膜晶体管及垂直和顶栅结构TFT的制作方法。背景技术近年来，随着新型平板显示(FPD)产业的迅猛发展，作为FPD核心技术的薄膜晶体管(TFT)背板技术也在经历着深刻的变革。金属氧化物TFT(MOTFT)以其高迁移率、工艺简单、成本低、大面积均匀性有源层材料、薄膜晶体管及垂直和顶栅结构TFT的制作方法与流程2020年4月10日本发明属于激光切割技术领域，具体涉及一种激光切割机剑栅除渣机。背景技术激光切割机剑栅就是激光切割机工作台上的锯齿状托条，激光切割机工作时所产生气化或液化的金属残渣，会流挂到工作平台即剑栅上，这些金属残渣多层长期累积后，粘连在剑栅上，严重影响激光机切割效果，同时也一种激光切割机剑栅除渣机的制作方法

制备栅氧化层的方法与流程 X技术网

2021年2月20日本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种制备栅氧化层的方法。背景技术对于半导体器件，有时不同区域需要不同厚度的栅氧。目前对于不同区域的栅氧工艺，通常都是分步生长，先生长较厚的栅氧层，之后用遮罩盖住厚氧区域，去除薄氧区域的氧化层，之后再生长薄氧栅。如果有更多的本发明涉及显示技术领域，尤其涉及纳米线栅结构的制作方法。背景技术纳米压印技术(NanoimprintLithography，NIL)是上世纪九十年代中期美国普林斯顿(Princeton)大学纳米结构实验室(NanostructureLab)的周郁(StephenYChou)教授针对传统的光刻工艺受到曝光波长的限制，已经达到制备微小结构的极限，无法进一步纳米线栅结构的制作方法与流程 X技术网2022年10月1日 1本技术涉及光伏领域，更具体地，涉及一种太阳能电池栅线结构及其制作方法、太阳能电池。背景技术： 2随着国家能源结构优化，新能源行业越来越得到市场的关注，特别是光伏行业，因此急需尽快提高光伏电池的光电转换效率，降低成本，以实现对太阳能的进一步利用。一种太阳能电池栅线结构及其制作方法、太阳能电池与流程基于此,作者在对时栅位移传感器的波动方程进行深入的分析的基础之上,提出了一种直接由时空驻波形成时间行波的新方法该方法有别于原有时栅位移传感器中刻意设计匀速运动的空间行波作为时空坐标转换理论中的带时间考查点的匀速运动坐标系,再通过电磁耦合时栅的波动方程分析与行波形成新方法的研究与实验百度学术

一种铅酸电池拉网式板栅的生产方法与流程

2018年12月14日本发明属于板栅的生产方法，特别涉及一种铅酸电池拉网式板栅的生产方法。背景技术目前，现有技术铅酸蓄电池的板栅基本采用重力铸造法、铅带连轧扩展法和铅带冲孔法生产。采用这些方法生产的铅酸蓄电池板栅的孔尺寸大，一般为6mm×8mm；板栅筋条尺寸粗，一般为1mm×15mm，使得现有技术板栅的 2024年4月30日本发明涉及半导体集成电路，尤其涉及一种低成本的大电阻设计方法。背景技术、大电阻被广泛应用于芯片中，比如低通滤波器和低功耗设计等场景。电阻通常用无源器件实现，由于片上电阻方块阻值有限，所以大电阻往往意味着较大的面积。技术实现思路、本发明所要解决的技术问题是：针对已知一种低成本的大电阻设计方法与流程本实用新型属于新能源技术领域，尤其涉及太阳能，具体的说是一种无主栅电池片太阳能组件。背景技术全球性的化石能源危机与环境污染推动了光伏行业的快速发展。目前，以晶硅电池片为主的组件占据了全球光伏组件无主栅电池片太阳能组件的制作方法 X技术网2024年5月30日本发明属于半导体器件领域，涉及一种具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法。背景技术： 1、传统硅基功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)在一些应用中，总栅电荷作为主要的动态参数，影响着沟槽器件在开关过程中的损耗，总栅电荷越小，整体一种具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法与流程

光伏组件行业研究：大尺寸＋N型＋高功率为主旋律

太阳能电池片栅线电极的丝网印刷方法与流程

本发明涉及太阳能电池片生产技术领域，尤其是涉及太阳能电池片栅线电极的制备技术领域。背景技术：目前，太阳能电池片正面栅线电极的制备主要采用丝网印刷方法，其原理为：利用网版上图形部分网孔透浆料和非图形部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷，见图1。2022年11月2日一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空t型栅的制作方法技术领域 1本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空t型栅的制作方法。背景技术： 2随着5g、6g通信等未来通讯技术的大规模需求以及雷达天线等的国防应用。。基于gan、gaas材料的等微波毫米波器件需要一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法 X 2021年1月23日本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种金属栅的制造方法。背景技术随着cmos技术的发展，传统的二氧化硅栅介质和多晶硅栅极(polysion)晶体管已经达到物理极限，比如说由于量子隧穿效应导致的漏电流过大的问题和多晶硅栅极的耗尽问题等严重影响了半导体器件的性能。从nm技术金属栅的制造方法与流程 X技术网本发明涉及微波通讯领域，具体涉及一种制作T型栅结构的电子束光刻方法。背景技术随着无线网络、通信、电视广播以及航空航天系统等的不断发展，微波通讯的应用已经几乎涵盖在所有的人类活动中，越来越成为生活中不可缺少的一部分。微波通讯系统的核心是微波功率放大器，它也是系统一种制作T型栅结构的电子束光刻方法与流程 X技术网